SiO_2添加物对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构与介电性能的影响

摘要：

采用传统固相反应法制备了不同SiO_2掺量的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO) 陶瓷材料,并研究了SiO_2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:高温烧结时,SiO_2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响.CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO_2含量的增多而相应减小.阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO_2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO_2的掺入而显著增大.分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷介电损耗降低的主要原因.

关键词：CaCu_3Ti_4O_(12)、SiO_2添加物、介电性能、微观结构、物相结构

所属期刊栏目：38

分类号：TQ28(基本有机化学工业)

资助基金：教育部长江学者与创新团队发展计划IRT0730;南昌大学创新团队建设计划

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1365-1369