阴离子掺杂钨酸铅晶体的生长与发光性能研究
本文报道了阴离子F~-, Cl~-, I~- 和S~(2-)掺杂的PbWO_4晶体的生长与发光性能.通过对掺杂PbWO_4晶体的X射线粉末衍射、紫外可见区的透过光谱、光致激发、光产额和发光衰减特性进行了测试表征,结果表明:F~-掺杂能使PbWO_4晶体在短波方向的透过率明显提高,显著提高PbWO_4晶体的发光强度,但增加的发光强度主要来自于慢发光的贡献.而随着掺杂阴离子半径和电荷数的增加,PbWO_4晶体的发光强度逐渐降低,并且PbWO_4晶体吸收截止边逐渐向长波方向移动.
阴离子掺杂、PbWO_4晶体、光产额、发光衰减
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O734(晶体物理)
国家自然科学基金50572115;2008上海大学创新基金;中国科学院高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金SKL200806SIC;上海市自然基金重点项目09JC1406500;上海市重点学科S30107
2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1338-1343
