籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列

摘要：

采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液中Zn源的初始浓度等对ZnO纳米棒阵列生长的影响,由此得到了结晶性好且几乎垂直于衬底方向的ZnO纳米棒阵列的生长条件,为制备基于ZnO纳米棒阵列的器件提供了条件.

关键词：ZnO、纳米阵列、籽晶辅助化学水浴沉积法、扫描电子显微镜、X射线衍射

所属期刊栏目：38

分类号：O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金60776045

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1304-1308