径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟

摘要：

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD (金属有机物化学气相沉积) 反应室中的输运过程进行了二维数值模拟.从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH3和TMGa的浓度影响因素.根据对模拟结果的分析,发现较均匀的流场对应衬底上方的反应物浓度较高,降低反应器内压强,也可获得衬底上方较高的反应物浓度,由于MOCVD反应器内有较大的温差,因此热扩散效应不能忽视.

关键词：MOCVD、GaN、数值模拟

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60376006

在线出版日期：2009-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：938-942