Pt/Hg3In2Te6接触的温度特性研究

摘要：

运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极,形成Pt/Hg3In2Te6接触,采用I-V测试仪在120~260 K温度范围内对其I-V特性进行测量.根据热电子发射模型,计算得到了Pt/Hg3In2Te6的肖特基势垒高度.结果表明:Pt/Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触,肖特基势垒高度为0.46 eV.在120~260 K温度范围内,理想因子随温度增大逐渐从2.93减小至1.42.将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器,发现了响应光谱在波长1.55 μm处峰值达到最大,在室温下峰值探测率D* 达到了1011 cm·Hz1/2·W-1.

关键词：Hg3In2Te6、肖特基接触、理想因子、响应光谱

所属期刊栏目：38

分类号：TN303;TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2009-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：888-892