ZnO压电薄膜的制备与性能表征
采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分,表面形貌和压电性质.结果表明:实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质,c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响,高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质.
ZnO薄膜、射频磁控溅射、压电性质、表面粗糙度
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O484(固体物理学)
国家自然科学基金10432050,50772006
2009-10-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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880-883