激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究

摘要：

采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2).结合激光晶化机理进行定量计算.结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9 mJ.

关键词：脉冲激光烧蚀、激光退火、成核势垒

所属期刊栏目：38

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10774036;河北省自然科学基金E2008000631;河北省教育厅Z2007222;河北大学博士启动基金No.Y2007100资助课题

在线出版日期：2009-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：876-879