Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究

摘要：

采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷.利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12 (BST) 陶瓷晶体结构及电性能的影响.结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高.

关键词：固相反应、Bi4Ti3O12、Sm掺杂、介电性能、晶体结构

所属期刊栏目：38

分类号：TQ174

资助基金：教育部科学技术研究重点项目209126;陕西省教育厅专项科研基金08KJ222;国家自然基金项目50607013;陕西科技大学研究生创新基金

在线出版日期：2009-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：866-869,892