衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响

摘要：

采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜.研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响.结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题.利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释.

关键词：氢化微晶硅锗薄膜、衬底温度、光、暗电导率

所属期刊栏目：38

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划2009AA05Z422;天津市应用基础及前沿技术研究计划08JCZDJC 22200;科技部基础研究973项目2006CB202602,2006CB202603

在线出版日期：2009-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：831-835