掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

摘要：

采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4%以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 %的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.

关键词：ZnS:Cu薄膜、电沉积、掺杂浓度、光致发光

所属期刊栏目：38

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部"新世纪优秀人才支持计划"NCET-06-0893;陕西科技大学研究生创新基金;深圳市特种功能材料重点实验室基金0701

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：681-684