CdZnTe平面核辐射探测器研究

摘要：

采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片.通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器.重点研究了快速退火对电极接触特性的影响.测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性.结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95%(2.35 keV FWHM).

关键词：CdZnTe、平面探测器、快速退火、能量分辨率

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：620-624