稀释磁性半导体Cd0.9Mn0.1Te晶体的退火改性

摘要：

运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件.利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响.结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8'' 降至108'',红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105 Ω·cm提高到4.49×106 Ω·cm.由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比.

关键词：Cd0.9Mn0.1Te晶体、点缺陷、退火、Te沉淀相、结晶质量

所属期刊栏目：38

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金5087211

在线出版日期：2009-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：570-575