P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响
采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.
p型微晶硅、界面处理、柔性太阳能电池
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O78(晶体生长)
华中科技大学人才引进基金HUST2006176
2008-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1187-1190