运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

摘要：

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.

关键词：数值模拟、VGF法、固液界面、GaAs

所属期刊栏目：37

分类号：O795(晶体物理化学过程)

资助基金："863"国际重大合作项目2002AAF3102

在线出版日期：2008-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1056-1059