近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

摘要：

研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.

关键词：碲铟汞、缺陷、腐蚀坑、半导体材料

所属期刊栏目：37

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划,2007AA03Z442;西北工业大学博士创新基金CX200606;西北工业大学研究生种子基金Z200612

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：627-630,638