10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.050
多孔硅层的剥离及反射率研究
通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线.结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低.
多孔硅、电化学腐蚀、剥离、反射率
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TN304(半导体技术)
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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