ZnO本征半导体的点缺陷机制分析

摘要：

本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算,在此基础上依据快速冷却条件下的缺陷"冻结"特征,揭示了室温下ZnO半导体中的亚稳态缺陷状态和载流子分布特征,从而合理揭示了ZnO晶体中点缺陷态和导电机制的依赖关系.

关键词：ZnO半导体、点缺陷化学、电学性质

所属期刊栏目：36

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：985平台建设培植项目;西安交通大学校科研和教改项目

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1416-1421