p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响

摘要：

本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.

关键词：非晶硅、太阳电池、缓冲层、p/i界面

所属期刊栏目：36

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603;天津市科技发展基金06YFGZGX02100

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1368-1371