10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.036
p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响
本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.
非晶硅、太阳电池、缓冲层、p/i界面
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O47(半导体物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603;天津市科技发展基金06YFGZGX02100
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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