提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

摘要：

本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌.结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;Nz退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMs)达到最低值.

关键词：Ti:LiAlO2、化学腐蚀、N2退火

所属期刊栏目：36

分类号：O781(晶体生长)

资助基金：上海市浦江计划05PJl4100;中国科学院"百人计划"

在线出版日期：2008-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1249-1252,1248