大气开放式MOCVD氧化镁薄膜的生长及表征

摘要：

以2,4-乙酰丙酮化镁为前驱体,衬底温度为480℃,采用MOCVD工艺,分别在玻璃、氧化铝陶瓷、单晶Si(111)和Si(100)衬底上生长了取向生长的氧化镁薄膜.X射线衍射结果表明,无论是采用玻璃、氧化铝、单晶Si(111)和Si(100)衬底,氧化镁薄膜都是沿着(100)晶面取向生长.通过扫描电镜观察得到,在单晶Si(100)衬底上生长的氧化镁薄膜表面平整致密.模拟卢瑟福背散射结果显示,沉积时间超过70min时,界面处发生硅向氧化镁层少量扩散现象.

关键词：氧化镁薄膜、大气开放式金属有机化学气相沉积、X射线衍射、扩散

所属期刊栏目：36

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1173-1177,1186