单掺Rb+和Cs+的KTP晶体生长及其电导率

摘要：

采用高温溶液降温法在掺质浓度均为5mol%的KTP-K4溶液中分别生长了单掺Rb+和Cs+的KTP晶体,发现掺质改变了晶体生长习性,在相应生长体系中掺质Rb+和Cs+的分配系数分别为O.646和0.08,掺质KTP晶体的晶胞参数a0和b0比纯KTP晶体者略有增长.通过掺Rb+或Cs+,KTP晶体的c向电导率明显降低,但晶体在350～1100nm范围内的光透过性质未受影响.

关键词：掺质KTP晶体、生长习性、分配系数、透过、c向电导率

所属期刊栏目：36

分类号：O78(晶体生长)

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1052-1055