10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.045
镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半.红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释.
多孔硅、镁离子掺杂、电化学、光致发光、红外吸收
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O734(晶体物理)
国家自然科学基金60276015;教育部科学技术研究重点项目204139;甘肃省重点实验室基金KF-05-03
2007-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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