10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.032
单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究
本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700~1050 ℃)、基片温度(0~200 ℃)、基片材料(单晶硅、玻璃)以及热处理温度(300~400 ℃)等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法.
单源真空蒸发、ZnSe薄膜、电子探针、X射线粉晶衍射
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O484(固体物理学)
国家自然科学基金40472051;中国地质大学北京矿物岩石材料开发应用国家专业实验室开放研究基金6001
2007-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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