Cd掺杂对Zn1-xCdxS:Cu能带结构和光电子瞬态过程的影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.016

Cd掺杂对Zn1-xCdxS:Cu能带结构和光电子瞬态过程的影响

引用
本文采用高温固相反应法制备了Zn1-xCdxS:Cu黄色电致发光材料.研究了Cd含量对电致发光亮度、发光光谱、光生电子瞬态过程和热释光的影响.通过调整Cd含量,可以制备出黄色电致发光材料.研究发现Cd掺杂会使材料的电子陷阱密度减小,且使光生电子瞬态过程缩短.

Zn1-xCdxS、光生电子、发光光谱、热释光

36

TN304(半导体技术)

国家自然科学基金50472037;河北省自然科学基金E2004000117;F2004000130

2007-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

789-792

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

36

2007,36(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn