掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

摘要：

选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体.生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长.将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1～4,可改变掺杂晶体的结晶习性.用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2.通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用.结果表明:是有应用前景的热释电材料.

关键词：掺杂TGS晶体、稀土与氨基酸掺杂、铁电性能、热释电性能

所属期刊栏目：36

分类号：O782(晶体生长)

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：390-395,380