10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.024
耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料的研究
本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系,通过气氛压力烧结工艺(Gas Pressure Sintering,GPS)研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料.系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响,分析了该材料的显微结构特点及增强机理.实验结果表明:通过控制材料组分和工艺参数的变化,制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好,弯曲强度:74.7~174.83 MPa;介电常数:3.5~4.2;介电损耗:0.5~4.5×10-3,可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求.
透波材料、Si-B-O-N系陶瓷、介电常数
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TQ174
2007-06-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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