沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

摘要：

本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.

关键词：升华法、SiC、微管、多型

所属期刊栏目：36

分类号：O771;O782(晶体缺陷)

资助基金：山东省半导体照明工程关键技术资助项目;教育部跨世纪优秀人才培养计划

在线出版日期：2007-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17