坩埚下降法生长CaF2单晶的研究

摘要：

采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带.同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带.

关键词：CaF2晶体、下降法、位错蚀坑、光谱

所属期刊栏目：35

分类号：O781(晶体生长)

在线出版日期：2007-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1328-1331