薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

摘要：

本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300～500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs.

关键词：MOCVD、ZnO薄膜、透明导电氧化物、太阳电池

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：天津市自然科学基金043604911;天津市科技攻关项目043186511

在线出版日期：2007-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1313-1317