衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响

摘要：

采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响.研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-Si:H 薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动.该实验结果可通过"表面扩散模型"得到合理解释.

关键词：μc-Si:H薄膜、衬底温度、临界温度点、晶化率

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2007-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1287-1290