MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器

摘要：

通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.

关键词：MOCVD、低阈值电流、650nm激光器

所属期刊栏目：35

分类号：TQ174

在线出版日期：2007-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1247-1250