非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

摘要：

采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

关键词：多晶硅薄膜、快速热退火、固相晶化

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2006-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1137-1140,1074