直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜

摘要：

采用直流磁控溅射法,Al靶直径75mm,靶基距9cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在Si(100)衬底上制备AlN薄膜.结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性.结果表明,所制备的多晶AlN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°.XPS剥蚀260min后O的原子浓度降为6.24%,Al和N化学剂量比非常接近1:1.AlN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右.表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm.

关键词：氮化铝薄膜、直流磁控溅射、择优取向

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金教外司留2001-498

在线出版日期：2006-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1113-1117