黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展

摘要：

砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.

关键词：砷化锗镉、开裂、受体缺陷、生长

所属期刊栏目：35

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金E50572008;黑龙江省哈尔滨市科技攻关项目2005AA5CG058

在线出版日期：2006-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1022-1025