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10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.011

用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜

引用
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.

高结晶度、生长速率、生长模式

35

O78(晶体生长)

2006-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

953-957

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人工晶体学报

1000-985X

11-2637/O7

35

2006,35(5)

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