CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

摘要：

采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

关键词：硒化镉、机械化学抛光、抛光液、金相显微镜、电阻率

所属期刊栏目：35

分类号：O786(晶体生长)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA325030

在线出版日期：2006-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：939-942