不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

摘要：

本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.

关键词：SiC、PVT法、磁矢势、焦耳热

所属期刊栏目：35

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：陕西省重大项目2004K07-G9;西安理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：781-784