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10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.044

分层沉积GaAs/SiO2纳米薄膜的结构和吸收光谱

引用
应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/SiO2纳米薄膜.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/SiO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响.本文对相关机理作了探讨.

射频磁控溅射、GaAs/SiO2纳米薄膜、氢掺杂、吸收光谱

35

O484(固体物理学)

广东省自然科学基金04011770;广东省江门市科技计划江财企2003.61

2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

630-634

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1000-985X

11-2637/O7

35

2006,35(3)

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