BN坩埚中的AlN单晶生长

摘要：

@@ AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面,具有广泛的应用前景.AlN在光电子领域的应用潜力也不容忽视.AlN作为GaN材料的衬底,与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比,具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点,因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命.目前,各国竞相投入大量的人力、物力进行AlN单晶的研究工作.我国在这方面还鲜有报道.本文报道了山东大学在AlN单晶生长探索方面取得的一些进展.

机标关键词：坩埚、单晶生长、宽带隙半导体材料、高热导率、临界击穿电场、饱和漂移速度、紫外探测器、微电子器件、热膨胀系数、器件的性能、域的应用、应用前景、位错密度、使用寿命、晶格失配、衬底、载流子、光电子、大功率、制作

所属期刊栏目：35

分类号：O7(晶体学)

资助基金：中国科学院资助项目50472068;教育部跨世纪优秀人才培养计划

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：435-436