10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.047
快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响
采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能.在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C·cm-2·k-1.
锆钛酸铅、铁电薄膜、快速退火、X射线衍射、原子力显微镜
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O484(固体物理学)
云南省自然科学基金2002C0008Z
2006-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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