低位错ZnSe单晶的生长

摘要：

采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

关键词：ZnSe单晶、化学气相输运、位错密度

所属期刊栏目：35

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家科技攻关项目2002AA325030

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：385-387