10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.039
Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究
采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.
Ga3+:KTP晶体、分配系数、c向电导率
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O738(晶体物理)
2006-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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378-380