低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

摘要：

在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.

关键词：界面层错空洞、溶胶-凝胶、碳化硅

所属期刊栏目：35

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：中国科学院资助项目50372063;中国科学院知识创新工程项目

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：337-341