直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究

摘要：

以10%质量分数SnO2和90%质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大.

关键词：直流磁控溅射、ITO薄膜、衬底温度、透过率

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：武汉理工大学校科研和教改项目2003XJJ025

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：272-275,232