水热法合成Zn1-xNixO稀磁半导体

摘要：

本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量NiCl2*6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的NiCl2*6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Ni的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的Ni离子掺入ZnO,最大Ni原子分数含量为0.62%.采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降.在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性.

关键词：氧化锌、水热合成、稀磁半导体

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分类号：O781(晶体生长)

资助基金：中国科学院资助项目50471937;河北省自然科学基金E 2004000117;H 2004000130

在线出版日期：2006-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：244-247,223