GaSb薄膜生长的RHEED研究

摘要：

采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.

关键词：GaSb薄膜、反射式高能电子衍射仪、分子束外延、低温缓冲层、表面结构

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60306004;国家重点实验室基金ZS3603

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：139-142