玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

摘要：

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.

关键词：PECVD法、非晶硅薄膜、传统炉退火、量子态、晶粒大小

所属期刊栏目：35

分类号：TK51(特殊热能及其机械)

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：104-106