6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

摘要：

本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.

关键词：温度场、6H-SiC单晶、径向温度梯度、多型

所属期刊栏目：35

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：国家科技攻关项目2001AA311080;教育部新世纪优秀人才支持计划

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-44