10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039
常规退火与光退火固相晶化的对比
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.
PECVD法、非晶硅薄膜、传统退火炉子、光退火、晶粒大小、拉曼光谱、XRD、SEM
34
O484(固体物理学)
2006-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1171-1173