Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

摘要：

用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

关键词：Si(111)、GaN、MOCVD、DCXRD

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：教育部跨世纪优秀人才培养计划;河北省自然科学基金E2005000042;广东省关键领域重点突破项目2B2003A107

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1167-1170